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01-09
中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
中科院微电子所刘新宇研究员团队与合作伙伴成功研制出高性能低成本1200VSiCMOSFET，该成果基于新型6英寸SiC复合衬底。SiC晶圆产业面临产能扩张与高质...
12-24
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200VSiCMOSF...
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