新闻中心 
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04-21青禾晶元联合主办—2025中国国际低温键合3D集成技术研讨会邀您参与半导体键合技术正在推动3D集成与先进封装的革命性进展！作为低温键合与键合集成领域的创新先锋，青禾晶元与日本先进微系统集成研究所（IMSI）等国际权威机构合作，共...
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03-28青禾晶元SEMICON时刻：展示先进键合技术中国方案在SEMICON异构集成（先进封装）国际会议上，青禾晶元创始人兼董事长母凤文博士发表主题演讲，重点介绍了中国半导体企业在键合技术领域的最新突破，以及键合技术对半...
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03-10独立研发，青禾晶元即将发布全球首台混合键合设备
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01-09中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展中科院微电子所刘新宇研究员团队与合作伙伴成功研制出高性能低成本1200VSiCMOSFET，该成果基于新型6英寸SiC复合衬底。SiC晶圆产业面临产能扩张与高质...
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12-24基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展近日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200VSiCMOSF...
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