新闻中心 
-
11-29从平面晶体管到FinFET的演变集成电路技术节点的缩放在90纳米制程之前一直提升器件性能和密度。然而，65纳米节点之后，由于栅氧化层厚度无法继续减薄（隧道效应导致的漏电流成为瓶颈），缩放只增加...
-
11-20华虹宏力“一种P沟道分栅SONOS存储器阵列及其操作方法”专利公布天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“一种P沟道分栅SONOS存储器阵列及其操作方法”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118...
-
11-16三安半导体“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布天眼查显示，湖南三安半导体有限责任公司“碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN1188007...
