新闻中心 
-
06-10华润上华“横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法”专利公布天眼查信息显示，无锡华润上华科技有限公司于2025年2月14日公开了一项名为“横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法”的专利，专利申请公布号为CN119451...
-
04-29南京大学王肖沐教授团队Nat.Commun.：基于陡坡光电晶体管实现红外超弱光检测的重大突破近日，南京大学王肖沐教授和王军转教授联合北京理工大学团队，通过设计遂穿结光电场效应晶体管，创新地提出基于陡坡效应的光电晶体管（steep-slopephotot...
-
04-22森国科“具有异质结的Si/SiCMOS器件及制作方法”专利公布天眼查数据显示，深圳市森国科科技股份有限公司的一项专利“具有异质结的Si/SiCMOS器件及制作方法”已公布，公布日期为2025年3月7日，公布号为CN1195...
-
04-12北京大学电子学院胡又凡-彭练矛团队在碳基模拟电路领域研究中取得重要进展突破硅基CMOS局限：碳纳米管晶体管实现超高增益模拟电路硅基CMOS晶体管尺寸的持续缩小，虽然提升了数字电路性能，却给模拟电路设计带来了巨大挑战。传统硅基CMO...
-
03-27中国科学院利用新型堆叠纳米片沟道表面处理技术研制成功接近理想开关的GAA晶体管堆叠式全环绕栅极（GAA）晶体管，凭借其优异的栅极控制能力、驱动性能和电路设计灵活性，有望成为FinFET之后的集成电路主流晶体管结构。三星、台积电和英特尔等行...
-
03-04北京大学∙山西碳基薄膜电子研究院在用于显示像素驱动的碳纳米管薄膜晶体管研究中取得重要进展碳纳米管薄膜晶体管（CNTTFTs）凭借其大面积制备能力、高驱动电流、高迁移率（数十至数百cm²/（V∙s））以及简易的制造工艺，在显示像素驱动电路中展现出巨大...
