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03-27
中国科学院利用新型堆叠纳米片沟道表面处理技术研制成功接近理想开关的GAA晶体管
堆叠式全环绕栅极(GAA)晶体管,凭借其优异的栅极控制能力、驱动性能和电路设计灵活性,有望成为FinFET之后的集成电路主流晶体管结构。三星、台积电和英特尔等行...
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