新闻中心 
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12-28华虹宏力“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”专利公布上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”的专利（申请公布号：CN118957544A，申请公布日：2024年11月...
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12-26华虹宏力“双自对准MOSFET的制造方法”专利公布
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12-25【公布】华虹宏力“Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法”专利公布聚焦中国科技前沿：五项重大科研突破本文报道了中国近期在科技领域取得的五项重大进展，涵盖半导体、通信、低空经济、光学和材料科学等多个领域。1.华虹宏力新型闪存测试...
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12-25华虹宏力“Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法”专利公布上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法”的新专利（申请公布号：CN118973262A，申请公布日：202...
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11-20华虹宏力“一种P沟道分栅SONOS存储器阵列及其操作方法”专利公布天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“一种P沟道分栅SONOS存储器阵列及其操作方法”专利公布，申请公布日为2024年10月18日，申请公布号为CN118...
