新闻中心 
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12-09三星完成突破性400层NAND技术开发三星电子突破性400层NAND闪存技术量产在即，引领行业新潮流！近日，三星电子宣布其400层NAND闪存技术研发成功，并已启动平泽P1厂的量产线转移工作。此举标...
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12-02三星大幅削减3D NAND生产中光刻胶用量 供应商受影响三星最新3DNAND工艺革新：大幅降低光刻胶用量，成本显著下降！据报道，三星在最新一代3DNAND闪存的光刻工艺中，成功将厚光刻胶(PR)用量减少一半，每层涂覆...
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12-022025年通用NAND价格下跌超50% 三星、铠侠计划减产由于通用NAND闪存市场不景气，预计内存行业将再次进行减产。据报道，日本内存厂商铠侠预计将在下个月开始减产NAND。韩国三星电子也预计将采取减产措施，以稳定NA...
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11-29铠侠12月或将减产 NAND报价有望止跌或反转铠侠减产利好NANDFlash市场，价格有望止跌回升！据业内人士透露，NANDFlash龙头企业铠侠计划于2024年12月减产，这将有效缓解市场供过于求的局面，...
