新闻中心 
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05-07中国科学院反铁磁半金属弱局域态非平衡太赫兹探测机理研究取得进展近日，中国科学院上海技术物理研究所胡伟达、陈效双、陆卫研究团队联合中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张凯团队，在反铁磁半金属弱局域增强的太赫兹探测方面取得进...
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04-29南京大学王肖沐教授团队Nat.Commun.：基于陡坡光电晶体管实现红外超弱光检测的重大突破近日，南京大学王肖沐教授和王军转教授联合北京理工大学团队，通过设计遂穿结光电场效应晶体管，创新地提出基于陡坡效应的光电晶体管（steep-slopephotot...
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04-12北京大学电子学院胡又凡-彭练矛团队在碳基模拟电路领域研究中取得重要进展突破硅基CMOS局限：碳纳米管晶体管实现超高增益模拟电路硅基CMOS晶体管尺寸的持续缩小，虽然提升了数字电路性能，却给模拟电路设计带来了巨大挑战。传统硅基CMO...
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04-10北京大学集成电路学院王路达团队在纳流体忆阻器及仿生神经形态应用领域取得重要进展在追求高并行、低功耗、持续运行的智能计算架构的背景下，模拟生物突触的仿生神经形态器件成为研究热点，有望实现类脑信息处理。纳流体忆阻器，以水溶液中的离子为载流子，...
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04-04中国科学技术大学在日盲紫外光电探测器研究中取得新进展中国科学技术大学龙世兵和胡芹团队在日盲紫外光电探测器研究方面取得突破性进展。针对氧化镓光电探测器响应度和响应速度难以兼顾的难题，团队创新性地提出了一种基于双层薄...
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03-27中国科学院利用新型堆叠纳米片沟道表面处理技术研制成功接近理想开关的GAA晶体管堆叠式全环绕栅极（GAA）晶体管，凭借其优异的栅极控制能力、驱动性能和电路设计灵活性，有望成为FinFET之后的集成电路主流晶体管结构。三星、台积电和英特尔等行...
