新闻中心 
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01-17华虹宏力“降低栅源电容的方法”专利公布上海华虹宏力半导体制造有限公司近日获得一项名为“降低栅源电容的方法”的专利授权，申请公布日为2024年12月10日，公布号为CN119108271A。该专利技术...
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01-14华虹宏力“闪存器件的制备方法”专利公布天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“闪存器件的制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月21日，申请公布号为CN119136552A。本申请提供一种...
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01-14东芯股份：预判美光、海力士、铠侠等将逐步退出小容量NAND市场东芯股份近期机构调研透露，三星已退出SLCNAND市场，预计美光、海力士、铠侠等国际厂商也将逐步退出小容量NAND市场。利基型DRAM方面，三星和海力士也已开始...
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01-06帝科股份在浙江成立电子材料公司，注册资本1000万元浙江帝科电子材料有限公司近日成立，注册资本1000万元，由帝科股份全资控股。该公司将专注于电子专用材料的研发和销售，业务范围涵盖显示器件、电子元器件以及新材料技...
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12-28华虹宏力“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”专利公布上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”的专利（申请公布号：CN118957544A，申请公布日：2024年11月...
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12-26华虹宏力“双自对准MOSFET的制造方法”专利公布
