新闻中心
-
12-24三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线三星电子加码存储芯片技术,在平泽二厂(P2)建设10nm第七代DRAM(1dDRAM)试验线,以提升竞争力并优化新一代产品的良率。据悉,该试验线预计2024年第...
-
12-10标准型DRAM市况冷飕飕 何时回温要看三指标DRAM市场寒冬何时结束?业内人士指出,三大关键指标将决定市场回暖时机。标准型DRAM价格持续下跌,市场表现远低于预期。市场回暖取决于以下三个因素:一、AI应用...
-
12-10DRAM供过于求报价跌势不止 南亚科、威刚、十铨绷紧神经内存市场寒冬持续,DRAM价格跌势汹汹!市场研究机构集邦科技最新报告显示,8GbDDR4内存颗粒价格自7月以来已暴跌35.7%,跌至1.35美元。业内专家预测,...
-
10-20机构:HBM明年售价预计上涨18%,营收可望增加156%1.市场调研机构集邦科技看好HBM长期发展,预计HBM3e明年将占据整体HBM近90%的市场份额。2.此举将推动HBM产品平均售价上涨18%,HBM营收可达46...

