新闻中心 
-
01-18华虹宏力“CMOS图像传感器的制造方法”专利获授权上海华虹宏力半导体制造有限公司近日获得一项关于CMOS图像传感器制造方法的专利授权，专利号为CN114242742B，授权日期为2024年12月6日，申请日期为...
-
01-17华虹宏力“降低栅源电容的方法”专利公布上海华虹宏力半导体制造有限公司近日获得一项名为“降低栅源电容的方法”的专利授权，申请公布日为2024年12月10日，公布号为CN119108271A。该专利技术...
-
01-14华虹宏力“闪存器件的制备方法”专利公布天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“闪存器件的制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月21日，申请公布号为CN119136552A。本申请提供一种...
-
01-09利和兴拟1000万元设立孙公司，以提升园区管理效率利和兴提升资产管理效率，拟设立全资孙公司利和荟商业管理（江门）有限公司。1月8日，利和兴发布公告，宣布其全资子公司利和兴智能装备（江门）有限公司将投资设立一家全...
-
01-06投资5亿元！又一半导体关键材料项目落地西安经开西安经开区携手唐山控股，共建半导体材料产业！西安经开区近日与唐山控股发展集团签署合作协议，后者将投资5亿元，在经开区建设集生产、研发和配套设施于一体的半导体材料...
-
12-28华虹宏力“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”专利公布上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”的专利（申请公布号：CN118957544A，申请公布日：2024年11月...
