新闻中心 
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01-18华虹宏力“CMOS图像传感器的制造方法”专利获授权上海华虹宏力半导体制造有限公司近日获得一项关于CMOS图像传感器制造方法的专利授权，专利号为CN114242742B，授权日期为2024年12月6日，申请日期为...
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01-17华虹宏力“降低栅源电容的方法”专利公布上海华虹宏力半导体制造有限公司近日获得一项名为“降低栅源电容的方法”的专利授权，申请公布日为2024年12月10日，公布号为CN119108271A。该专利技术...
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01-14华虹宏力“闪存器件的制备方法”专利公布天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“闪存器件的制备方法”专利公布，申请公布日为2024年8月21日，申请公布号为CN119136552A。本申请提供一种...
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12-28华虹宏力“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”专利公布上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”的专利（申请公布号：CN118957544A，申请公布日：2024年11月...
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12-26华虹宏力“双自对准MOSFET的制造方法”专利公布
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12-25华虹宏力“Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法”专利公布上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法”的新专利（申请公布号：CN118973262A，申请公布日：202...
